市場梳理
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7月11日，大盤全天震蕩反彈，三大指數(shù)集體小幅收漲，創(chuàng)業(yè)板領(lǐng)漲。個(gè)股呈漲多跌少，3500+股上漲，漲停47只，1400+下跌，跌停3只，市場情緒有有所好轉(zhuǎn)，但操作難度仍然較大。
值得注意的是，漲停高度板上升至5連板大連熱電，瑞馬精密4連板、蘇常A、京能熱力3連板，上海滬工、萬安科技、輝豐股份2連板，但上個(gè)交易日首板27家，連板率11%，創(chuàng)近期以來新低，首板29家。人工智能開始調(diào)整以來，市場的連板率整體較低，充分表明在沒有主線情況下，板塊的持續(xù)性較差。
量能上看，市場延續(xù)縮量格局，全天成交7747億元，較上個(gè)交易日增加118億元，繼續(xù)創(chuàng)近5個(gè)月的新低；不過，奔走以來北向資金動(dòng)向有所改善，全天凈買入34.89億元，連續(xù)第二日凈買入，分市場看，滬股通凈買入19.15億元，深股通凈買入15.74億元。但整體上還是存量的博弈。
從盤面上看，市場延續(xù)板塊輪動(dòng)的節(jié)奏，汽車產(chǎn)業(yè)鏈集體大漲，整車方向，眾泰汽車、賽力斯、中通客車漲停；智能駕駛方向，浙江世寶、萬安科技、合眾思?jí)选⑷瘃R精密、萬科技漲停；汽車零部件方向，文燦股份、坤泰股份、寧波高發(fā)等漲停。半導(dǎo)體集體反彈，存儲(chǔ)芯片方向領(lǐng)漲，航天智能20CM漲停，盈方微、睿能科技漲停。下跌方面，光伏陷入調(diào)整，億晶光電跌停。
總體上看，當(dāng)前市場的結(jié)構(gòu)性行情特征將是常態(tài)，在主線人工智能進(jìn)入調(diào)整后，板塊間的持續(xù)性就相對(duì)較差，但從這些板塊輪動(dòng)的特征來看，資金在挖掘低位行業(yè)中存在改善預(yù)期的方向，今日的汽車產(chǎn)業(yè)鏈、半導(dǎo)體，還有就是上個(gè)交易日的新能源賽道等，疊加中報(bào)業(yè)績密集披露，業(yè)績大漲+低位+行業(yè)改善具有鮮明3特征的板塊得到了資金青睞。
策略上，以中報(bào)業(yè)績?yōu)閷?dǎo)向，關(guān)注行業(yè)有改善預(yù)期的行業(yè)板塊
重點(diǎn)關(guān)注：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈（存儲(chǔ)芯片、設(shè)備和材料）、新能源（TOPCon電池、HJT電池、復(fù)合銅箔、高壓快充等）、大消費(fèi)和人工智能等中報(bào)業(yè)績大增的公司。
半導(dǎo)體集體大漲，行業(yè)拐點(diǎn)逐步顯現(xiàn)
今日半導(dǎo)體集體大漲，細(xì)分的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)漲，板塊指數(shù)漲超4.7%，集成電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體封測、功率半導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備等漲幅均超1%。
其中，儲(chǔ)存芯片方向，航天智裝20CM漲停、盈方微、睿能科技漲停，江波龍、商洛電子、兆易創(chuàng)新、深科技等漲超8%。
存儲(chǔ)芯片的大漲，在于行業(yè)底部特征開始逐步顯現(xiàn)。消息面上，世界第四大DRAM廠商在7月10日的財(cái)報(bào)說明會(huì)上表示，本季DRAM整體平均價(jià)格依舊微幅下跌，但已看到部分產(chǎn)品報(bào)價(jià)呈現(xiàn)平穩(wěn)或小幅增長，如高階AI內(nèi)存及部分消費(fèi)性應(yīng)用品項(xiàng)都開始漲價(jià)，這是正向信號(hào)，代表市場狀況逐步筑底、走向供需平穩(wěn)。
業(yè)績方面，南亞科第二季度實(shí)現(xiàn)營收70.27億元新臺(tái)幣，環(huán)比增長9.4%；6月營收為24.58億元新臺(tái)幣，環(huán)比增長6.45%，營收已連續(xù)4個(gè)月增長，并創(chuàng)今年新高。
此前，三星電子7月7日公布初步業(yè)績顯示，截至6月份的三個(gè)月營業(yè)利潤大降96%至6000億韓元（4.61億美元），但高于分析師預(yù)測均值5130億韓元。
此外，6月28日美光科技公布的財(cái)報(bào)顯示，該公司Q3營收為37.5億美元，好于分析師預(yù)期的36.8億美元；調(diào)整后的每股虧損為1.43美元，好于分析師預(yù)期的每股虧損1.57美元。
另外，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片龍頭長江存儲(chǔ)漲價(jià)3-5%。海外的三星、海力士、美光科技等均醞釀漲價(jià)。
以DRAM中DDR4 8GB價(jià)格跌勢明顯放緩，目前有逐步止跌企穩(wěn)的跡象。
通過梳理存儲(chǔ)芯片巨大業(yè)績、漲價(jià)預(yù)期以及存儲(chǔ)芯片價(jià)格發(fā)現(xiàn)，存儲(chǔ)芯片觸底信號(hào)逐步顯現(xiàn)，當(dāng)前是配置的最佳時(shí)機(jī)。
據(jù)WSTS預(yù)測，2023年全球存儲(chǔ)芯片市場規(guī) 模將達(dá)到1675億美元，其中中國存儲(chǔ)器市場空間巨大，預(yù)計(jì)2023年國內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模將達(dá)到6492億元(約942億美元)，約占全球市場的55.8%。
全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品以DRAM和NANDF lash為主 ，市場份額分別占比
53%和44%，NOR F lash占比較少僅為1%。而DRAM是存儲(chǔ)器第一大產(chǎn)品，以三星、SK海力士、美光三家企業(yè)為主，2021年，三家企業(yè)市場份額占比分別為43%、28%、23%。中國供應(yīng)商市場份額較低，國產(chǎn)替代空間大。NANDFlash前六大供應(yīng)市場份額合計(jì)占比超過95%，行業(yè)集中度較高。其中，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)市場份額占比分別為34%、19%、 14%。
國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在DRAM和NANDF lash為主的國產(chǎn)水平不到5%，國產(chǎn)空間巨大。
而存儲(chǔ)芯片最為集成電路中最大的細(xì)分領(lǐng)域，其率先觸底，有望帶動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)迎來拐點(diǎn)。
策略上，優(yōu)先配置設(shè)備材料、存儲(chǔ)芯片、AI芯片以及先進(jìn)封裝。
關(guān)注：兆易創(chuàng)新、北京君正、紫光國微、東芯股份、復(fù)旦微電、北方華創(chuàng)等
指數(shù)有風(fēng)險(xiǎn)？
指數(shù)震蕩反彈，重返5日和10日均線上方，但5和10日均卻死叉，受到3418以來下降趨勢線的反向壓制，并且短期均線較為扎亂，60和120日均線形成死叉，可以看出上方拋壓較大，短期內(nèi)以均線指標(biāo)修復(fù)為主，但短線內(nèi)若5日均線不能向上拐，則會(huì)出現(xiàn)5、10、20日均線三條短期均線空頭排列的格局，指數(shù)存在再次下探的風(fēng)險(xiǎn)。短期指數(shù)有望在3200—3250區(qū)間內(nèi)震蕩。
預(yù)計(jì)周三反抽3418以來的下降趨勢中，受阻后指數(shù)存面臨再次調(diào)整的風(fēng)險(xiǎn)。下方繼續(xù)關(guān)注整數(shù)3200的支持。
以上觀點(diǎn)不構(gòu)成任何操作建議，股市有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。本報(bào)告基于獨(dú)立、客觀、公正和審慎的原則制作，信息均來源于公開資料，本公司對(duì)這些信息的準(zhǔn)確性和完整性不作任何保證。