量價見底!存儲芯片行業(yè)將周期反轉(zhuǎn)_環(huán)球今日訊
時間:2023-05-22 17:46:23  來源:證券之星官方微博  
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近日關(guān)于美光公司的審查結(jié)果落地,其產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查。在此背景下,國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)商或迎來國產(chǎn)替代的機會。與此同時,從產(chǎn)能和價格看,存儲芯片行業(yè)將迎來周期修復(fù)。

美光公司產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)審查

5月21日晚,據(jù)網(wǎng)信中國官微,日前,網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法對美光公司在華銷售產(chǎn)品進行了網(wǎng)絡(luò)安全審查。


(資料圖片僅供參考)

審查發(fā)現(xiàn),美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患,對我國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險,影響我國國家安全。為此,網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法作出不予通過網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī),我國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運營者應(yīng)停止采購美光公司產(chǎn)品。

此次對美光公司產(chǎn)品進行網(wǎng)絡(luò)安全審查,目的是防范產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全問題危害國家關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施安全,是維護國家安全的必要措施。中國堅定推進高水平對外開放,只要遵守中國法律法規(guī)要求,歡迎各國企業(yè)、各類平臺產(chǎn)品服務(wù)進入中國市場。

國內(nèi)替代產(chǎn)商和上游設(shè)備或?qū)⑹芤?/strong>

據(jù)公開資料顯示,美光科技有限公司是美國存儲芯片巨頭,通過全球化的運營,美光公司制造并向市場推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲器模塊,用于前沿計算、消費品、網(wǎng)絡(luò)和移動便攜產(chǎn)品。

如果美光在中國區(qū)銷售受到限制,或?qū)?dǎo)致下游客戶轉(zhuǎn)而采購國外三星、 SK海力士,國內(nèi)長江存儲、長鑫存儲等競對產(chǎn)品。

華泰證券表示,美光公司2021/2022年財報顯示,2021年該公司來自中國客戶的銷售收入占比為8.9%,2022年提升至10.8%,美光公司受查影響到其在中國區(qū)銷售情況,有可能導(dǎo)致下游客戶轉(zhuǎn)而采購國外三星、SK海力士,國內(nèi)長江存儲、長鑫存儲等競對產(chǎn)品。

此外,長存、長鑫的上游設(shè)備廠也將從中受益。存儲器的生產(chǎn)已經(jīng)演進到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工藝。另外NAND Flash現(xiàn)在已經(jīng)進入3D NAND時代,2 維到3維的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變使刻蝕和薄膜成為最關(guān)鍵、最大量的加工設(shè)備。3D NAND每層均需要經(jīng)過薄膜沉積工藝步驟,同時刻蝕目前前沿要刻到 60:1的深孔,未來可能會更深的孔或者溝槽,催生更多設(shè)備需求。

其中,拓荊科技(薄膜沉積),以及存儲業(yè)務(wù)占比較高的華海清科(CMP)、盛美上海(清洗)或迎來業(yè)績收入增長。

存儲周期底部企穩(wěn),龍頭減產(chǎn)加速行業(yè)修復(fù)

按產(chǎn)品種類分,存儲市場主要分為 DRAM、NAND、NOR Flash,其中 DRAM占據(jù)主要的市場規(guī)模。

DRAM 供給格局頭部化效應(yīng)明顯,韓系廠商占據(jù)主要份額。根據(jù)Trendforce,22Q4 全球前三大 DRAM 廠商分別為韓國三星、韓國海力士與美國美光,三家廠商市占率合計為 95.8%。

NAND 競爭格局較 DRAM 分散,三星仍占據(jù)龍頭地位;NOR Flash 龍頭主要為臺系與陸系廠商,兆易創(chuàng)新排名全球第三。

而從行業(yè)整體來看,存儲芯片行業(yè)或已周期觸底,即將迎來上升周期。

德邦證券指出以波谷算,存儲行業(yè)周期約為 3-3.5 年,目前處于周期筑底階段。相較于半導(dǎo)體其它行業(yè),存儲芯片具有大宗商品屬性,國際龍頭會在下游新興需求誕生時提升自身產(chǎn)能;而當(dāng)擴產(chǎn)落地時,行業(yè)進入供過于求周期,各廠商則會通過降價進行庫存去化。供給與需求的錯配使得存儲行業(yè)具更強的周期性。

可以看到,在13Q2、16Q1、19Q3 左右,行業(yè)龍頭合計營收增速處于周期谷底,對應(yīng)增速分別為-7%、-29%、-38%。若以谷底計算,存儲行業(yè)周期約為 3-3.5 年。22Q4,行業(yè)龍頭合計營收增速為-44%,處于筑底階段。若以三年計算,本輪下行周期預(yù)計在23Q3 前后結(jié)束。

從價格看,反映 DRAM 價格的 DXI 指數(shù)已接近 2020 年低值,目前行業(yè)價量齊跌。從 22Q1 開始,DXI 指數(shù)進入下行通道,指數(shù)有 41712 跌至 23Q1 的 22199,目前價格指數(shù)已接近 2020 年年初的水平。

而伴隨國際各龍頭廠商的減產(chǎn),存儲行業(yè)后續(xù)有望反轉(zhuǎn)向上。目前,三星、海力士等存儲龍頭大都宣布下調(diào)未來產(chǎn)量與資本開支額。其中,海力士 23 年資本支出同比減少50%以上;美光宣布將所有DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%,德邦證券預(yù)計行業(yè)有望于 23Q2逐漸企穩(wěn),23Q3 逐步完成庫存去化,23Q4 迎來周期反轉(zhuǎn)。

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