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縱觀產(chǎn)業(yè)鏈，襯底與外延占據(jù) 70%的成本碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù)70%的碳化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延、前段研發(fā)費用和其他分別占比為47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約70%，是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈制造的重要組成部分。

襯底和外延層的缺陷水平的降低、摻雜的精準控制及摻雜的均勻性對碳化硅器件的應用至關(guān)重要。受制于材料端的制備難度大，良率低，產(chǎn)能小，目前碳化硅襯底及外延層的價值量高于硅材料。

碳化硅襯底分為導電型和半絕緣型襯底。在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層，可制成二極管、MOSFET等功率器件，主要應用于新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域;在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，可制成HEMT等微波射頻器件，主要應用于5G通訊、衛(wèi)星等領(lǐng)域。

襯底:晶體生長是核心難點，PVT為主流方法

碳化硅襯底經(jīng)多個工序，PVT為碳化硅晶體生長的主流方法。碳化硅襯底制備目前主要以高純碳粉、硅粉為原料合成碳化硅粉，采用物理氣相傳輸法(PVT法)，在單晶爐中生長成為晶體，隨后經(jīng)過切片、研磨、拋光、清洗等步驟制成單晶薄片作為襯底。

晶體生長是核心難點，國內(nèi)襯底良率偏低。1)SiC晶棒生長速度慢。長度約2cm的 Sic晶棒大約需要7-10天的生長時間(天科合達招股說明書數(shù)據(jù))，生長速度僅為Si晶棒的幾十分之一;2)晶體生長對各種參數(shù)要求高，工藝復雜。在晶體生長過程中需要精確控制硅碳比、生長溫度梯度等參數(shù)，并且生長過程不可見。

我們認為長晶難點在于工藝而非設(shè)備本身，目前部分碳化硅村底廠商選擇自研長品設(shè)備，也有部分廠商選擇外購模式。